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Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, Canale N, Modulo

About The Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 31, MPN: FP75R12N2T7B11BPSA1

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 75 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 31, MPN: FP75R12N2T7B11BPSA1

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