Infineon MOSFET, canale N, 1,3 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 139 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSC010N04LSATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 1,3 MΩ, 100 A, TDSON, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 1,3 MΩ, 100 A, TDSON, Montaggio Superficiale | |
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