STMicroelectronics MOSFET, canale N, 110 mΩ, 29 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 190 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW34NM60ND
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STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 29 A, TO-247, Su Foro
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 110 MΩ, 29 A, TO-247, Su Foro | |
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