onsemi MOSFET, canale N, 29 mΩ, 6 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.5mm, MPN: FDS8949
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 29 MΩ, 6 A, SOIC, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 29 MΩ, 6 A, SOIC, Montaggio Superficiale | |
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