Skyworks Solutions Inc AEC-Q100 Driver gate MOSFET Si8275DBD-IM1, TTL, 1,8 A, 4 A., 5.5V, QFN, 14-Pin, Tensione di alimentazione: 5.5 V, 30V, Tempo di discesa: 18ns, Tempo di salita: 16ns, Topologia: Driver gate isolato, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Ritardo: 75ns, Ponte: Half Bridge, Polarità: Invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale
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Skyworks Solutions Inc AEC-Q100 Driver Gate MOSFET Si8275DBD-IM1, TTL, 1,8 A, 4 A., 5.5V, QFN, 14-Pin
Specifications of Skyworks Solutions Inc AEC-Q100 Driver Gate MOSFET Si8275DBD-IM1, TTL, 1,8 A, 4 A., 5.5V, QFN, 14-Pin | |
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