reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
IXYS

IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro

About The 13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3.IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6

IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro
More Varieties

Rating :- 9.76 /10
Votes :- 6