IXYS MOSFET, canale N, 320 mΩ, 32 A, PLUS247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 1,25 kW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.13mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFX32N100Q3
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IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro
Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 320 MΩ, 32 A, PLUS247, Su Foro | |
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