STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, TO-220, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 88 W, Tipo di montaggio: Su foro, Numero pin: 3, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.4 x 4.6 x 15.75mm, Classe di efficienza energetica: 221mJ, Capacità del gate: 855pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: STGP5H60DF
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STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 10 A, Canale N, TO-220
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 10 A, Canale N, TO-220 | |
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