STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su Foro

54mm, Montaggio superficiale, Tipo: Striscia di connettori femmina a fascio singolo a basso costo, Orientamento: Ad angolo retto, Terminazione: Saldare, Serie: HLE, Numero di serie: HLE-120-02-G-DV-BE-A-K-TR.

a.

0A, Orientamento: Ad angolo retto, Tensione nominale: 250 V, Tipo di accoppiamento: Filettato, Materiale custodia: Nichel, MPN: PXMBNI12RPF03APCM16.Bulgin Connettore circolare, femmina, serie Buccaneer M12, M12, 3 poli, Montaggio posteriore, Spina/Presa: Connettore femmina, Terminazione: PCB, Protezione IP: IP67, Corrente nominale: 4.

massima: 600A cc, Misura assoluta di tensione c., corrente c.: ±2 % + 5 LSD, Tipo pinza amperometrica: Corrente, tensione, Precisione migliore in tensione c.

RS PRO Alimentatore da banco, 1 uscita, 0 → 60V, 6A, 360W, Tipo di alimentatore da banco: Alimentatore switching, Tipo: Digitale, Tensione di alimentazione: 115 V ac, 230V ca, Connettore di ingresso: IEC 320, Connettore di uscita: Morsettiera a innesto, Temperatura minima: 0°C, Temperatura massima: +40°C, Digitale/analogico: Tipo digitale.

Phoenix Contact Morsettiera passante, Grigio, livello Singolo, 32A, AWG: 24 → 12AWG, Serie: UK 4, Terminazione: A vite, Tensione nominale: 800 V, MPN: 3003017.

8A, Serie: HSEC8-DV, MPN: HSEC8-120-01-SM-DV-A-K-TR.

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.15mm, MPN: STW3N150.

8A, Serie: HSEC8-DV, MPN: HSEC8-120-01-SM-DV-A-K-TR.8mm, 2 file, Montaggio superficiale, Orientamento: Verticale, Corrente nominale: 2.

15mm, MPN: STW3N150.STMicroelectronics MOSFET, canale N, 9 Ω, 2,5 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1500 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 140 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 20.