Infineon Transistor MOSFET + Diodo, Canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
About The Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS 3, MPN: IPB031N08N5ATMA1
Infineon Transistor MOSFET + diodo, canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.8V, Serie: OptiMOS 3, MPN: IPB031N08N5ATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon Transistor MOSFET + Diodo, Canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
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Specifications of Infineon Transistor MOSFET + Diodo, Canale N, 0,0031 O, 120 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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