Infineon Driver gate MOSFET 1EDI20N12AFXUMA1, CMOS, -3,5 A, 4 A, 17V, DSO, 8-Pin, Tempo di discesa: 19ns, Tempo di salita: 20ns, Topologia: Con isolamento galvanico, Dipendenza alta e bassa: Indipendente, Polarità: Invertente, non invertente, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Altezza: 1.65mm
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Gestione alimentazione e potenza > Gate driver
Infineon Driver Gate MOSFET 1EDI20N12AFXUMA1, CMOS, -3,5 A, 4 A, 17V, DSO, 8-Pin
Specifications of Infineon Driver Gate MOSFET 1EDI20N12AFXUMA1, CMOS, -3,5 A, 4 A, 17V, DSO, 8-Pin | |
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