Infineon MOSFET, canale N, 180 m.Ω, 18 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Serie: IPA60R, MPN: IPAW60R180P7SXKSA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 180 M.Ω, 18 A, TO-220 FP, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 180 M.Ω, 18 A, TO-220 FP, Su Foro | |
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