Infineon MOSFET, Canale N, 7,2 MΩ, 80 A, TO-220, Su Foro

80mm, per Sistemi di connettori LUMAWISE Endurance S.

4 x 1.

8mm x 70mm, per guida larga 23mm, Capacità di carico dinamico: 28000N, Capacità di carico statico: 67000N, MPN: KWSE25-G2-V1.INA Carrello a guide lineari, serie KWSE25, carrello da 81.

Vishay Multiplexer DG409LEDY-GE3, 16-Pin, SOIC, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Dimensioni: 10 x 4 x 1.

2mm, Grado IP: IP65, MPN: 1217673.Sick Griglia luminosa serie SLG, rilevamento 3000 mm, Principio sensore: Barriera optoelettronica a fascio passante, Separazione dei fasci: 40mm, Tipo di componente: Mittente/destinatario, Lunghezza: 833mm, Larghezza: 25mm, Profondità: 8.

40mm, Ø est. SKF Guarnizione per alberi rotanti, Ø int.

5V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.Infineon MOSFET, canale N, 7,2 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP072N10N3GXKSA1.

, Numero di elementi per chip: 1, Dimensioni: 3.

36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP072N10N3GXKSA1.Infineon MOSFET, canale N, 7,2 mΩ, 80 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.

onsemi Transistor Digitale NPN ON Semiconductor, 3 Pin, SOT-23, 25 V, Montaggio superficiale, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima base emitter: 3 V c.4 x 1.