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Infineon MOSFET, Canale P, 12,6 MΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

About The Infineon MOSFET, canale P, 12,6 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1

Infineon MOSFET, canale P, 12,6 mΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 58 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.3mm, MPN: IPD50P04P413ATMA1

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 12,6 MΩ, 50 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

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