Infineon MOSFET, canale N, 3 A, ThinPAK 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IPLK80R2K0P7ATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 3 A, ThinPAK 5 X 6, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 3 A, ThinPAK 5 X 6, Montaggio Superficiale | |
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