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Rockwell Automation

Rockwell Automation Morsettiera Passante, 3 Vie, Passo 2.5mm, Per Cavi 22 - 12 AWG

About The 5mm, per cavi 22 - 12 AWG, Corrente nominale: Single Side-10 A, Twin Side- 20 A, Terminazione: A vite, Tipo di montaggio: Guida DIN, Materiale: Poliammide 6,6, Tensione nominale: 300 V, Serie: 1492-J3TW, Tipologia: Femmina, MPN: 1492-J3TW-RE A.Rockwell Automation Morsettiera passante, 3 vie, passo 2

Rockwell Automation Morsettiera passante, 3 vie, passo 2.5mm, per cavi 22 - 12 AWG, Corrente nominale: Single Side-10 A, Twin Side- 20 A, Terminazione: A vite, Tipo di montaggio: Guida DIN, Materiale: Poliammide 6,6, Tensione nominale: 300 V, Serie: 1492-J3TW, Tipologia: Femmina, MPN: 1492-J3TW-RE A

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Specifications of Rockwell Automation Morsettiera Passante, 3 Vie, Passo 2.5mm, Per Cavi 22 - 12 AWG

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Phoenix Contact ST-OV2- 24DC/ 24DC/5 Optoacc.
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    • Weidmuller File di contatti PCB, 2 vie, 1 fila, passo 5.08mm

    Weidmuller File di contatti PCB, 2 vie, 1 fila, passo 5.08mm

    , Materiale contatto: Lega di rame, MPN: 1780180000.

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  • Weidmuller
    • Vishay Fotodiodo PIN 2 pin, 940nm, Piombato

    Vishay Fotodiodo PIN 2 pin, 940nm, Piombato

    Vishay Fotodiodo PIN 2 pin, 940nm, Piombato, Tipo di montaggio: Montaggio con foro passante, MPN: BPV23NF.

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    • Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale

    Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale

    Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di package: TO-236AB, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, MPN: TN2106K1-G.6V, Dissipazione di potenza massima: 360 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Numero di elementi per chip: 1, Tensione diretta del diodo: 1.

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    • Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale

    Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale

    Microchip MOSFET, canale N, 5 Ω, 280 mA, TO-236, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Tipo di package: TO-236AB, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 0.8V, MPN: TN2106K1-G.

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