Wolfspeed MOSFET, Canale N, 170 MΩ, 22 A, TO-263-7, Montaggio Superficiale

ABB RCD DDA200, 4P, 25A, sensibilità 30mA, Tipo AC, Tempo d'interruzione: Istantaneo, Tipo di montaggio: Montaggio Guida DIN, Profondità complessiva: 93mm, Lunghezza complessiva: 105mm, Larghezza complessiva: 69mm, Tensione nominale c.

6mm², Placcatura contatto: Stagno, Numero di serie: 98658, MPN: 98658-1211.Molex Terminale a crimpare Femmina, 20AWG → 22AWG, Per utilizzo con: Corpo del connettore MOX, Dimensione minima filo (mm2): 0.2mm², Dimensione massima filo (mm2): 0.

25pF, 100V cc, Su foro, C0G, Dimensioni: 4 x 2.5 x 3.Murata Condensatore ceramico multistrato MLCC, 2pF, ±0.

5mm, Serie: RDE, Distanza terminale: 5 mm, Temperatura operativa massima: +125°C, Temperatura operativa minima: -55°C, Tipo di terminale: Radiale, MPN: RDE5C2A270J0M1H03A.5 x 3.5mm, Lunghezza: 4mm, Profondità: 2.

54mm, 160 x 100 x 1.54 x 2.

DiodesZetex MOSFET, canale N, 330 mΩ, 1,1 A, E-Line, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 850 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.77mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN4306A.

JST File di contatti PCB, 9 vie, 1 fila, passo 3.96mm, Serie: VH, Orientamento: Ingresso superiore, Protetto/Non protetto: Protetto, Tipo di connettore: Filo-Scheda, Tipo di montaggio: Foro passante, Terminazione: Saldare, Materiale contatto: Ottone, Placcatura contatto: Stagno, Corrente nominale: 10A, MPN: B9P-VH(LF)(SN).

5V, Tensione di soglia gate minima: 1.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: C3M0120100J.

JST File di contatti PCB, 9 vie, 1 fila, passo 3.96mm, Serie: VH, Orientamento: Ingresso superiore, Protetto/Non protetto: Protetto, Tipo di connettore: Filo-Scheda, Tipo di montaggio: Foro passante, Terminazione: Saldare, Materiale contatto: Ottone, Placcatura contatto: Stagno, Corrente nominale: 10A, MPN: B9P-VH(LF)(SN).

8V, Dissipazione di potenza massima: 83 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: +15 V, +9 V.23mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: C3M0120100J.