DiodesZetex MOSFET, canale N, 30 mΩ, 46,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 3,7 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: DMTH10H025SK3-13
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, 30 MΩ, 46,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 30 MΩ, 46,3 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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