ROHM MOSFET, canale P, 4,5 A, TO-252, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 45 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Numero di elementi per chip: 1, MPN: RD3H045SPTL1
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ROHM MOSFET, Canale P, 4,5 A, TO-252, Montaggio Superficiale
Specifications of ROHM MOSFET, Canale P, 4,5 A, TO-252, Montaggio Superficiale | |
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