IXYS MOSFET, canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 200 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 9.15mm, Lunghezza: 10.66mm, MPN: IXFP7N80P
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
IXYS MOSFET, Canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su Foro
Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 1,44 Ω, 7 A, TO-220, Su Foro | |
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