Infineon MOSFET, canale N, 2,7 Ohm, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Tensione di soglia gate massima: 3.9V, Numero di elementi per chip: 1, MPN: IPD80R2K7C3AATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 2,7 Ohm, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 2,7 Ohm, 2 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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