Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale N, 17,6 MΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale

Siemens Inverter, 7,5 kW, 380 → 480 V.

5mm, Range: OS, MPN: 1SCA022776R7540 OSS800G1S/3.ABB Protezioni terminali sezionatore 1SCA, Per uso con: Serie OT, Lunghezza: 95.

3mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVTFS010N10MCLTAG.onsemi MOSFET, canale N, 15,9 mΩ, 57,8 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 77,8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.

Infineon Transistor bipolare RF NPN, SOT-343, 60 mA, 15 V, Montaggio superficiale, MPN: BFP420FH6327XTSA1.

RS PRO Vite metrica in Acciaio, 7/8-14poll x 4poll, Imperiale o metrico: Imperiale, Tipo di acciaio Inox: Mild Steel.

Infineon Diodo Varactor BBY5302VH6327XTSA1.

onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 17,6 mΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMYS010N04CLTWG.

o c.: c.

2V, Dissipazione di potenza massima: 28 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NVMYS010N04CLTWG.onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale N, 17,6 mΩ, 38 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.

o c.c.: c.