onsemi MOSFET, canale N, 250 mΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,3 W, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTLJD4116NT1G
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Onsemi MOSFET, Canale N, 250 MΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 250 MΩ, 2,5 A, WDFN, Montaggio Superficiale | |
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