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Infineon MOSFET, Canale N, 20 MΩ, 64 A, TO-220, Su Foro

About The 36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP200N25N3GXKSA1.Infineon MOSFET, canale N, 20 mΩ, 64 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10

Infineon MOSFET, canale N, 20 mΩ, 64 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.36mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: IPP200N25N3GXKSA1

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Infineon MOSFET, Canale N, 20 MΩ, 64 A, TO-220, Su Foro

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