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Infineon MOSFET, Canale N, 0,36 Ω, 9 A, TO-220 FP, Su Foro

About The Infineon MOSFET, canale N, 0,36 Ω, 9 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: 600V CoolMOS™ P7, MPN: IPA60R360P7SXKSA1

Infineon MOSFET, canale N, 0,36 Ω, 9 A, TO-220 FP, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: 600V CoolMOS™ P7, MPN: IPA60R360P7SXKSA1

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0,36 Ω, 9 A, TO-220 FP, Su Foro

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Infineon MOSFET, canale N, 0,36 Ω, 12,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Infineon MOSFET, canale N, 0,36 Ω, 12,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

5V, Serie: 700V CoolMOS™ P7, MPN: IPN70R360P7SATMA1.

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    • Infineon MOSFET, canale N, 0.6 Ω, 8,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 0.6 Ω, 8,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

    6 Ω, 8,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, MPN: IPD70R600P7SAUMA1.

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    • Infineon MOSFET, canale N, 0,0046 Ω, 70 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 0,0046 Ω, 70 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

    Infineon MOSFET, canale N, 0,0046 Ω, 70 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.4V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: OptiMOS™-5, MPN: IPC70N04S54R6ATMA1.

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    ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247N

    ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 178 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW60TS65EHRC11.

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    ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247N, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 178 W, Configurazione: Single, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Emettitore comune, MPN: RGW60TS65EHRC11.

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