Infineon MOSFET, canale N, 17 mΩ, 61 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 55 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 120 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, Altezza: 6.22mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: IRLU3915PBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 17 MΩ, 61 A, IPAK (TO-251), Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 17 MΩ, 61 A, IPAK (TO-251), Su Foro | |
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