Robustel Gateway Industriale

5A, Ø 5 x 20mm, FF, 380V ca, Materiale corpo: Ceramico, MPN: M093345.

, Protezione IP: IP66, IP68, IP69, Dimensione cavo: 0,2→ 1,0 mm², Pressacavo: Sì, Materiale contatto: CuZn, Placcatura contatto: Argento, Diametro: 14.

RS PRO Copertura protettiva in PBT, 172 x 172mm, ventola da 172mm, Distanza fra i fori per viti: 162mm.

STAHLWILLE Chiave dinamometrica a scatto, attacco esagonale 30,6 mm, coppia da 130 → 650Nm, Forma guida: Esagono, Modello: 4018754239986, Dimensione inserto: 22 x 28mm, MPN: 50181365.

4dBi, Protocolli RF: ISM Band, Lunghezza antenna: 150mm, Gamma di frequenze: 863-870 MHz.Laird Connectivity Omnidirezionale Antenna per telemetria EFG8555A3S-15MH4L Adesivo Patch MHF4L 870MHz 863MHz -0.

JST Corpo connettore automotive Femmina, 3 vie, 1 fila, passo 5mm, Tipo di montaggio: Montaggio su cavo, Serie: WPJ, Per utilizzo con: Connettore filo-filo a crimpare scollegabile serie WPJ, Orientamento: Diritta, Lunghezza: 17.8mm, Larghezza: 11.2mm, Materiale custodia: PBT rinforzato con fibre di vetro, MPN: WPJR-03V-1-S.

Robustel Gateway industriale, Tipo di modem: EDGE, FDD LTE, GPRS, GSM, HSDPA, HSPA+, HSUPA, TDD LTE, UMTS, WCDMA, Tipo di connessione: DI/DO, RS232, RS485, Tensione nominale di alimentazione: 9 V → 36V cc, Bande di frequenza supportate: 850 MHz, 900 MHz, 1800 MHz, 1900 MHz, Peso: 106g, Profondità: 75mm, Altezza: 28.

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5612.

5mm, Larghezza: 85mm, Minima temperatura operativa: -40°C, Minima tensione di alimentazione: 9V cc, MPN: B033702.Robustel Gateway industriale, Tipo di modem: EDGE, FDD LTE, GPRS, GSM, HSDPA, HSPA+, HSUPA, TDD LTE, UMTS, WCDMA, Tipo di connessione: DI/DO, RS232, RS485, Tensione nominale di alimentazione: 9 V → 36V cc, Bande di frequenza supportate: 850 MHz, 900 MHz, 1800 MHz, 1900 MHz, Peso: 106g, Profondità: 75mm, Altezza: 28.

onsemi MOSFET, canale N, 64 mΩ, 4,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5612.