Infineon MOSFET, canale N, 65 MO, 5,1 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Tensione di soglia gate massima: 1V, Numero di elementi per chip: 2, MPN: IRF7341GTRPBF
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Infineon MOSFET, Canale N, 65 MO, 5,1 A, SO-8, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 65 MO, 5,1 A, SO-8, Montaggio Superficiale | |
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