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Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD

About The Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF600R12ME7B11BPSA1

Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Configurazione transistor: Serie, MPN: FF600R12ME7B11BPSA1

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Specifications of Infineon Modulo IGBT, VCE 1200 V, IC 600 A, AG-ECONOD

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