Onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, Canale N, D2PAK (TO-263)

Name: Onsemi & Onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, Canale N, D2PAK (TO-263), Tensione Massima Gate Emitter: ±20V, Dissipazione Di Potenza Massima: 298 W, Tipo Di Montaggio: Montaggio Superficiale, Velocità Di Switching: 1MHz, Configurazione Transistor: Singolo, Dimensioni: 10.67 X 11.33 X 4.83mm, Massima Temperatura Operativa: +150 °C, Minima Temperatura Operativa: -55 °C, MPN: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: CAXC-93284
Price: 9.37 EUR
Availability: InStock

About The onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (TO-263), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 298 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.83mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: HGT1S10N120BNST

onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, D2PAK (TO-263), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 298 W, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 10.67 x 11.33 x 4.83mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: HGT1S10N120BNST

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Specifications of Onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, Canale N, D2PAK (TO-263)
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Last Updated December 3rd, 2023 06:03 am

Onsemi IGBT, VCE 1200 V, IC 80 A, Canale N, D2PAK (TO-263)

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