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BETA Set Inserti Per Cacciaviti, 8 Pezzi

About The BETA Set inserti per cacciaviti, 8 pezzi, Tipo: Reversibile, Dimensione: 8 x 4 mm, PH0-0 mm, MPN: 1281BG-TX/A8

BETA Set inserti per cacciaviti, 8 pezzi, Tipo: Reversibile, Dimensione: 8 x 4 mm, PH0-0 mm, MPN: 1281BG-TX/A8

Meccanica & Potenza fluida e Utensili > Utensili manuali > Cacciaviti & chiavi a brugola e torx > Set di punte per cacciaviti

BETA Set Inserti Per Cacciaviti, 8 Pezzi

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Specifications of BETA Set Inserti Per Cacciaviti, 8 Pezzi

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Rating :- 9.71 /10
Votes :- 6
Panasonic Relè a stato solido AQV210EA, Montaggio superficiale, 0,4 A, 350 V, c.a.
  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Relè e convertitori di segnale
  • Relè
  • Relè stato solido
  • Panasonic
    • RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 6mm, lunghezza 200 mm

    RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 6mm, lunghezza 200 mm

    RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 6mm, lunghezza 200 mm.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
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  • Punte e parti per trapano
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    • RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 3.5mm, lunghezza 160 mm

    RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 3.5mm, lunghezza 160 mm

    5mm, lunghezza 160 mm.RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 3.

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  • RS PRO
    • onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

    7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G.onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 3,13 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • onsemi
    • onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

    onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

    7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G.onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 3,13 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.

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