Onsemi MOSFET, Canale P, 150 MΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

29A, MPN: EEUFM1E331.

c.

8 x 1.

c.

, SPST AQV PhotoMOS./ c., SPST AQV PhotoMOS, Tensione minima di carico: 280 V, Corrente minima di carico: 0,13 A, Uscita: MOSFET Panasonic Relè a stato solido AQV210EA, Montaggio superficiale, 0,4 A, 350 V, c. / c.

RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 6mm, lunghezza 200 mm.

5mm, lunghezza 160 mm.RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 3.

onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 3,13 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G.

5mm, lunghezza 160 mm.RS PRO Punta elicoidale, HSS, Ø 3.

onsemi MOSFET, canale P, 150 mΩ, 2,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 3,13 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTF5P03T3G.