STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z, Tensione massima gate emitter: 600V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Serie, MPN: STGIPQ4C60T-HZ
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STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z
Specifications of STMicroelectronics IGBT, VCE 600 V, IC 6 A, N2DIP-26L TIPO Z | |
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