Infineon MOSFET, canale N, 7,8 mΩ, 40 A, TSDSON, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 50 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSZ050N03LSGATMA1
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Infineon MOSFET, Canale N, 7,8 MΩ, 40 A, TSDSON, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 7,8 MΩ, 40 A, TSDSON, Montaggio Superficiale | |
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