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Toshiba MOSFET TJ60S04M3L, VDSS 40 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 90 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +10 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

Toshiba MOSFET TJ60S04M3L, VDSS 40 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 90 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +10 V, Longitud: 6.5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

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Specifications of Toshiba MOSFET TJ60S04M3L, VDSS 40 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple

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