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Infineon MOSFET SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines, Config. Simple

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Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 190 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 208 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 4.57mm, Longitud: 10.31mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Infineon MOSFET SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, config.

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Specifications of Infineon MOSFET SPB20N60C3ATMA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines, Config. Simple

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