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Toshiba MOSFET TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 42 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V

Toshiba MOSFET TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 16 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 42 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V

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Specifications of Toshiba MOSFET TPN1600ANH, VDSS 100 V, ID 80 A, TSON De 8 Pines,, Config. Simple

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