Infineon MOSFET IPB017N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines,, config.
Simple.Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,7 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 250 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.31mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C, MPN: IPB017N06N3 G Infineon MOSFET IPB017N06N3GATMA1, VDSS 60 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines,, config.