Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,3 A, 6 A 2,78 W, 8-Pin SOIC
Vishay SI4532CDY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,3 A, 6 A 2,78 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 65 mΩ, 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.