Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin
: 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 22.05mm, MPN: CY7C1061GE30-10ZSXI.51 x 10.Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 2,2 V bis 3,6 V, TSOP 54-Pin, Organisation: 1 MB x 16 bit, Zugriffszeit max.