Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.