onsemi MOSFET, canale P, 650 mΩ, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale
4V, Dissipazione di potenza massima: 300 mW, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDG6316P.onsemi MOSFET, canale P, 650 mΩ, 700 mA, SOT-363, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 12 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.