IXYS MOSFET, canale N, 260 mΩ, 28 A, TO-3PN, Su foro
8mm, MPN: IXFQ28N60P3.IXYS MOSFET, canale N, 260 mΩ, 28 A, TO-3PN, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 695 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Numero di elementi per chip: 1, Altezza: 20.3mm, Lunghezza: 15.