onsemi MOSFET, canale N, 67 mΩ, 44 A, TO-220, Su foro
5V, Dissipazione di potenza massima: 312 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 10.onsemi MOSFET, canale N, 67 mΩ, 44 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.67mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FCP067N65S3.