onsemi MOSFET, canale N, 140 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 140 mΩ, 2,5 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 730 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.04mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTR4503NT1G.