Toshiba MOSFET, canale N, 109 mΩ, 30,8 A, DFN, Montaggio superficiale
5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 240 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Lunghezza: 8mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK31V60W5.Toshiba MOSFET, canale N, 109 mΩ, 30,8 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 5, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.