Infineon MOSFET, canale N, 4,2 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro
Infineon MOSFET, canale N, 4,2 mΩ, 160 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 230 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16.51mm, MPN: IRFB3306GPBF.