Infineon MOSFET, canale N, 13,5 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Infineon MOSFET, canale N, 13,5 mΩ, 60 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 110 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -16 V, +16 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: IRLR2905ZTRPBF.