Toshiba MOSFET, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro
16mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TK20E60W,S1VX(S.7V, Dissipazione di potenza massima: 165 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 10.Toshiba MOSFET, canale N, 155 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3.