IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, TO-264, Su foro
96mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXTK22N100L.IXYS MOSFET, canale N, 600 mΩ, 22 A, TO-264, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Dissipazione di potenza massima: 700 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 19.