onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale N, 13 mΩ, 50 A, DFN, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1.1mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NTMFS5C673NLT1G.2V, Dissipazione di potenza massima: 46 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5.